RJP65T43DPM-00#T1

Renesas Electronics
968-RJP65T43DPM-00T1
RJP65T43DPM-00#T1

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) POWER TRS1

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数据表:
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数量 单价
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¥123.1587 ¥123.16
¥119.6105 ¥1,196.11
¥85.7783 ¥2,573.35
¥71.4612 ¥4,287.67
¥61.3703 ¥7,364.44
¥59.9691 ¥30,584.24

产品属性 属性值 选择属性
Renesas Electronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-3PFM
Through Hole
Single
650 V
1.8 V
- 20 V, 20 V
40 A
68.8 W
+ 175 C
Tube
商标: Renesas Electronics
集电极最大连续电流 Ic: 20 A
栅极—射极漏泄电流: 1 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 30
子类别: IGBTs
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RJP65T43DPM高速开关IGBT

Renesas Electronics RJP65T43DPM高速开关IGBT是一款650V、20A IGBT，工作频率范围为20kHz至100kHz。该IGBT具有低集电极-发射极饱和电压，采用TO-3PFM封装。RJP65T43DPM IGBT具有150A集电极峰值电流、68.8W集电极耗散以及175°C结温。该IGBT的储存温度范围为-55°C至150°C，典型应用包括功率因数校正 (PFC)。

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