A2T20H330W24N
未分配
A2T20H330W24N
制造商:
说明:
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1880-2025 MHz, 71 W Avg., 28 V
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1880-2025 MHz, 71 W Avg., 28 V

中国