中国
A2T21H450W19S
未分配
A2T21H450W19S
制造商：
说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 89 W Avg., 30 V
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 89 W Avg., 30 V
