中国
A2T27S007N
未分配
A2T27S007N
制造商：
说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR 728-3600 MHz, 28.8 dBm AVG., 28 V
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR 728-3600 MHz, 28.8 dBm AVG., 28 V
数据表:
