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A2T27S020N 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	晶体管极性	技术	Vds-漏源极击穿电压	工作频率	增益	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	晶体管类型	封装
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 400-2700 MHz, 2.5 W Avg., 28 V NXP Semiconductors A2T27S020N A2T27S020N NXP Semiconductors	制造商零件编号 A2T27S020N Mouser 零件编号未分配	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 400-2700 MHz, 2.5 W Avg., 28 V	数据表	N/A		无库存，请致电询价				Si									LDMOS FET
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 The factory is currently not accepting orders for this product. A2T27S020NR1 NXP Semiconductors 1: ¥192.3825 3库存量寿命结束	制造商零件编号 A2T27S020NR1 Mouser 零件编号 841-A2T27S020NR1 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 The factory is currently not accepting orders for this product.	数据表	3库存量	剪切带 ¥192.3825 ¥143.6456 ¥133.3174 ¥128.6279 查看 ¥124.2887 ¥120.8874 ¥117.5991 报价	最低： 1 倍数： 1			N-Channel	Si	65 V	400 MHz to 2.7 GHz	21.1 dB	2.5 W	- 40 C	+ 150 C	Screw Mount	TO-270-2	LDMOS FET	Reel, Cut Tape

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