A5G18H610W19NR3

Name: NXP A5G18H610W19NR3
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-A5G18H610W19NR3
Price: 2124.04 RMB
Availability: InStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

771-A5G18H610W19NR3

制造商编号：

A5G18H610W19NR3

制造商：

NXP Semiconductors

说明：

GaN 场效应晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

A5G18H610W19NR3 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	NXP
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	OM-780-4S4S-8
Vds-漏源极击穿电压:	125 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
最大工作频率:	1.88 GHz
最小工作频率:	1.805 GHz
技术:	GaN-on-Si
商标:	NXP Semiconductors
湿度敏感性:	Yes
输出功率:	85 W
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	250
子类别:	Transistors
零件号别名:	935457124528

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 荷兰

发货时，国家/地区可能会发生变化。

A5Gx Airfast射频功率GaN晶体管

NXP Semiconductors A5Gx Airfast射频功率GaN晶体管是一款85W和112W非对称Doherty射频功率GaN晶体管。 NXP Semiconductors A5Gx晶体管非常适合用于需要宽带宽的蜂窝基站应用。该器件的性能在每个部件的指定频率范围内均得到保证，但在指定范围之外则不予保证。

数量	单价	总价
	¥2,400.1652	¥2,400.17
	¥2,036.1357	¥20,361.36
	¥1,935.8821	¥48,397.05
	¥1,889.3939	¥94,469.70
	¥1,845.3126	¥184,531.26
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
	¥1,845.3126	¥461,328.15

A5G18H610W19NR3

制造商：

NXP Semiconductors

说明：

GaN 场效应晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V

数据表

A5Gx Airfast射频功率GaN晶体管

库存量: 113

定价 (含13% 增值税)

A5G18H610W19NR3

制造商： NXP Semiconductors

说明： GaN 场效应晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V

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GaN 场效应晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V