AFGH4L25T120RWD

onsemi
863-AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 4L

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-247-4
Through Hole
Single
1.2 kV
1.37 V
20 V
50 A
416 W
- 55 C
+ 175 C
AFGH4L25T120RWD
Tube
商标: onsemi
集电极最大连续电流 Ic: 25 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
产品类型: IGBTs
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
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已选择的属性: 0

数据表

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

AFGHxL25T单N沟道1200V 25A IGBT

安森美AFGHxL25T单N沟道1200V 25A绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固、高性价比的场终止型VII沟槽结构。安森美AFGHxL25T在要求苛刻的开关应用中提供出色的性能。低导通电压和最小开关损耗在汽车应用中提供最佳的硬开关和软开关拓扑性能。

库存量: 445

库存：
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生产周期：
42 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
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