AFIC10275N

NXP Semiconductors
未分配
AFIC10275N

制造商:

说明:
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V

产品属性 属性值 选择属性
NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
N-Channel
Si
1.6 A
- 500 mV, 100 V
978 MHz to 1.09 GHz
32.1 dB
250 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270WB-14
LDMOS FET
商标: NXP Semiconductors
通道数量: 1 Channel
产品类型: RF MOSFETs
子类别: RF Transistors
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V
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合规代码
ECCN:
EAR99

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