AFT05MP075N 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
晶体管类型
封装
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
数据表
477库存量
剪切带
¥395.7034
¥321.9596
¥302.1507
¥298.0714
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MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
N-Channel Si 8 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 18.5 dB 70 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-WB-4 LDMOS FET Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
数据表
68库存量
剪切带
¥334.8981
¥272.0136
¥255.0071
¥247.0067
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MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
N-Channel Si 8 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 18.5 dB 70 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-WBG-4 LDMOS FET Reel, Cut Tape, MouseReel