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AFT05MS004N 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	晶体管极性	技术	Id-连续漏极电流	Vds-漏源极击穿电压	工作频率	增益	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	晶体管类型	封装
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V NXP Semiconductors AFT05MS004N AFT05MS004N NXP Semiconductors	制造商零件编号 AFT05MS004N Mouser 零件编号未分配	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V	数据表	N/A		无库存，请致电询价				Si										LDMOS FET
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V AFT05MS004NT1 NXP Semiconductors 1: ¥50.5449 12,826库存量 36,000在途量寿命结束	制造商零件编号 AFT05MS004NT1 Mouser 零件编号 841-AFT05MS004NT1 寿命结束	NXP Semiconductors	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V	数据表	12,826库存量 36,000在途量订单发货日期制造商编号： AFT05MS004NT1 库存： 12,826 可立即发货在途量: 12,000 预期 2027/1/4 24,000 预期 2027/1/6 生产周期：未验证	剪切带 ¥50.5449 ¥33.0864 ¥28.1483 ¥26.1369 查看卷轴 ¥20.1479 ¥24.408 ¥22.9277 ¥21.7186 ¥20.1479 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 1,000			N-Channel	Si	4 A	30 V	136 MHz to 941 MHz	20.9 dB	4.9 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	SOT-89-3	LDMOS FET	Reel, Cut Tape, MouseReel

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