中国
AFT05MS006N
未分配
AFT05MS006N
制造商：
说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 6 W, 7.5 V
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 6 W, 7.5 V
