AFT09S200W02GNR3

NXP Semiconductors
841-AFT09S200W02GNR3
AFT09S200W02GNR3

制造商:

说明:
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V

寿命周期:
停产
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
交货限制:
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RoHS:  
Si
LDMOS FET
Reel
商标: NXP Semiconductors
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF MOSFETs
工厂包装数量: 250
子类别: RF Transistors
类型: RF Power MOSFET
零件号别名: 935320369528
单位重量: 3.197 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
不可用
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

供货情况

库存: