AG161FNS4FRATCB

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Mouser编号：

755-AG161FNS4FRATCB

制造商编号：

AG161FNS4FRATCB

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET N-channel 80V 120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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交货限制:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	HPLF-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	120 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	44 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	125 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	18 ns
正向跨导 - 最小值:	18 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	21 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	73 ns
典型接通延迟时间:	33 ns

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Specification Sheets

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合规代码

USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 日本
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

适用于48V系统的80V汽车MOSFET

ROHM Semiconductor适用于48V系统的80V汽车MOSFET，可为需要在紧凑型尺寸、电流能力和安装可靠性之间实现实际平衡的48V车辆子系统提供支持。该系列可满足现代汽车电气架构日益增长的功率需求。为提升高负载应用场景下的电力传输效率，设计人员正逐步采用48V供电系统以替代传统12V电源轨架构。该选项使该系列非常适合主逆变器控制电路、电动机和电动水泵等设计，这些设计对电路板空间、散热性能和长期可靠性都非常重要。