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BLC10G15XS-301AVTY 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	数量	晶体管极性	技术	Vds-漏源极击穿电压	Rds On-漏源导通电阻	工作频率	增益	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	封装
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/REEL BLC10G15XS-301AVTY Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G15XS-301AVTY Mouser 零件编号 94-BLC10G15XS301AVTY	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/REEL Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	215 mOhms, 323 mOhms	1.805 GHz to 2.025 GHz	15 dB	160 W		+ 225 C	SMD/SMT	SOT1275-1-7	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/REEL BLC10G15XS-301AVTYZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G15XS-301AVTYZ Mouser 零件编号 94-BLC10G15X301AVTYZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/REEL Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	106.7 mOhms, 211.9 mOhms	1.452 GHz to 1.492 GHz	15 dB	350 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	SOT1275-1-7	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/TRAY BLC10G15XS-301AVTZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G15XS-301AVTZ Mouser 零件编号 94-BLC10G15XS301AVTZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/TRAY Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表	受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	106.7 mOhms, 211.9 mOhms	1.452 GHz to 1.492 GHz	15 dB	350 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	SOT1275-1-7	Tray