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BLC10G18XS-600AVTY 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	晶体管极性	技术	Vds-漏源极击穿电压	Rds On-漏源导通电阻	工作频率	增益	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	封装
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-400AVT/SOT1275/REEL BLC10G18XS-400AVTY Ampleon 1: ¥759.0888 79库存量	制造商零件编号 BLC10G18XS-400AVTY Mouser 零件编号 94-BLC10G18XS400AVTY	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-400AVT/SOT1275/REEL	数据表	79库存量	剪切带 ¥759.0888 ¥633.8509 ¥602.2561 卷轴 ¥577.6899 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 100	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	74 mOhms, 128 mOhms	1.805 GHz to 1.88 GHz	15.7 dB	400 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Reel, Cut Tape, MouseReel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/REEL BLC10G18XS-551AVTY Ampleon 1: ¥968.2744 90库存量	制造商零件编号 BLC10G18XS-551AVTY Mouser 零件编号 94-BLC10G18XS551AVTY	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/REEL	数据表	90库存量	剪切带 ¥968.2744 ¥810.8654 ¥769.5865 卷轴 ¥744.5231 查看报价 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 100	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	62 mOhms, 108 mOhms	1.805 GHz to 1.88 GHz	16.1 dB	550 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Reel, Cut Tape, MouseReel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G16XS-600AVT/SOT1258/REELDP BLC10G16XS-600AVTY Ampleon 100: ¥730.4659 无库存交货期 13 周	制造商零件编号 BLC10G16XS-600AVTY Mouser 零件编号 94-BLC10G16XS600AVTY	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G16XS-600AVT/SOT1258/REELDP	数据表	无库存交货期 13 周	卷轴 ¥730.4659 查看报价	最低： 100 倍数： 100 : 100	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	65.3 mOhms, 111 mOhms	1.427 GHz to 1.518 GHz	17.4 dB	600 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-602AVT/SOT1258/TRAYDP BLC10G18XS-602AVTZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G18XS-602AVTZ Mouser 零件编号 94-BLC10G18XS602AVTZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-602AVT/SOT1258/TRAYDP Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	58.4 mOhms, 111 mOhms	1.805 GHz to 1.88 GHz	16 dB	600 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-301AVT/SOT127/REELD BLC10G18XS-301AVTY Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G18XS-301AVTY Mouser 零件编号 94-BLC10G18XS301AVTY	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-301AVT/SOT127/REELD Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	135 mOhms, 210 mOhms	1.805 GHz to 1.88 GHz	15.6 dB	300 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	SOT1275-1-7	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-602AVT/SOT1258/REELDP BLC10G18XS-602AVTY Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G18XS-602AVTY Mouser 零件编号 94-BLC10G18XS602AVTY	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-602AVT/SOT1258/REELDP Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	58.4 mOhms, 111 mOhms	1.805 GHz to 1.88 GHz	16 dB	600 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-301AVT/SOT127/TRAYD BLC10G18XS-301AVTZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G18XS-301AVTZ Mouser 零件编号 94-BLC10G18XS301AVTZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-301AVT/SOT127/TRAYD Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	135 mOhms, 210 mOhms	1.805 GHz to 1.88 GHz	15.6 dB	300 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	SOT1275-1-7	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-301AVT/SOT127/REELD BLC10G18XS-301AVTYZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G18XS-301AVTYZ Mouser 零件编号 94-BLC10G18X301AVTYZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-301AVT/SOT127/REELD Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	135 mOhms, 210 mOhms	1.805 GHz to 1.88 GHz	15.6 dB	300 W	- 40 C	+ 150 C	SMD/SMT	SOT1275-1-7	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-360AVT/SOT1258/TRAYD BLC10G18XS-360AVTZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G18XS-360AVTZ Mouser 零件编号 94-BLC10G18XS360AVTZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-360AVT/SOT1258/TRAYD Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	88 mOhms, 148 mOhms	1.805 GHz to 1.88 GHz	15.4 dB	360 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-600AVT/SOT125/REELD BLC10G19XS-600AVTY Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G19XS-600AVTY Mouser 零件编号 94-BLC10G19XS600AVTY	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-600AVT/SOT125/REELD Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	58.4 mOhms, 111 mOhms	1.93 GHz to 1.995 GHz	15 dB	600 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-600AVT/SOT1258/REELDP BLC10G22XS-600AVTY Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G22XS-600AVTY Mouser 零件编号 94-BLC10G22XS600AVTY	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-600AVT/SOT1258/REELDP Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	58.4 mOhms, 111 mOhms	2.11 GHz to 2.17 GHz	15 dB	600 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Reel
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G16XS-600AVT/SOT1258/TRAYDP BLC10G16XS-600AVTZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G16XS-600AVTZ Mouser 零件编号 94-BLC10G16XS600AVTZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G16XS-600AVT/SOT1258/TRAYDP Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	65.3 mOhms, 111 mOhms	1.427 GHz to 1.518 GHz	17.4 dB	600 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Tray
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-600AVT/SOT125/TRAYD BLC10G19XS-600AVTZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G19XS-600AVTZ Mouser 零件编号 94-BLC10G19XS600AVTZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G19XS-600AVT/SOT125/TRAYD Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	Dual N-Channel	LDMOS	65 V	58.4 mOhms, 111 mOhms	1.93 GHz to 1.995 GHz	15 dB	600 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Tray