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BLC10G22XS-602AVTY 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	晶体管极性	技术	Vds-漏源极击穿电压	Rds On-漏源导通电阻	工作频率	增益	输出功率	最小工作温度	最大工作温度	安装风格	封装 / 箱体	封装
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-602AVT/SOT1258/REEL BLC10G22XS-602AVTY Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G22XS-602AVTY Mouser 零件编号 94-BLC10G22XS602AVTY	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-602AVT/SOT1258/REEL Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况			Dual N-Channel	LDMOS	65 V	57.4 mOhms, 111 mOhms	2.11 GHz to 2.17 GHz	15.4 dB	600 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Reel
	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-602AVT/SOT1258/TRAY BLC10G22XS-602AVTZ Ampleon 受限供货情况	制造商零件编号 BLC10G22XS-602AVTZ Mouser 零件编号 94-BLC10G22XS602AVTZ	Ampleon	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-602AVT/SOT1258/TRAY Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况			Dual N-Channel	LDMOS	65 V	57.4 mOhms, 111 mOhms	2.11 GHz to 2.17 GHz	15.4 dB	600 W	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	SOT1258-4-7	Tray