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FCD600N60Z

Name: onsemi FCD600N60Z
Brand: onsemi
SKU: 512-FCD600N60Z
Price: 23.86 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FCD600N60Z

制造商编号：

FCD600N60Z

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 600V N-Channel MOSFET

数据表:

FCD600N60Z 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	7.4 A
Rds On-漏源导通电阻:	600 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	20 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	89 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SuperFET II
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	8 ns
正向跨导 - 最小值:	6.7 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	7 ns
系列:	FCD600N60Z
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	39 ns
典型接通延迟时间:	13 ns
单位重量:	330 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

FCD600N60Z 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

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一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。

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库存量: 3,866

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生产周期：: 52 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥26.9618	¥26.96
	¥17.5376	¥175.38
	¥12.0797	¥1,207.97
	¥10.0909	¥5,045.45
	¥9.3451	¥9,345.10
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥8.7688	¥21,922.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

FCD600N60Z

制造商： onsemi

说明： MOSFET 600V N-Channel MOSFET

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文件 (11)

数据表

PCN

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客户还购买了

特色产品 ONSEMI

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ONSEMI