FCH023N65S3L4

Name: onsemi FCH023N65S3L4
Brand: onsemi
SKU: 512-FCH023N65S3L4
Price: 224.5 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

512-FCH023N65S3L4

制造商编号：

FCH023N65S3L4

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 650V N-Channel SuperFET III MOSFET

数据表:

FCH023N65S3L4 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	75 A
Rds On-漏源导通电阻:	23 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	222 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	595 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SuperFET III
封装:	Tube
商标:	onsemi
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
系列:	FCH023N65S3L4
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
单位重量:	6 g

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数据表

FCH023N65S3L4 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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