FCP190N65S3R0

Name: onsemi FCP190N65S3R0
Brand: onsemi
SKU: 863-FCP190N65S3R0
Price: 23.2 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-FCP190N65S3R0

制造商编号：

FCP190N65S3R0

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET SUPERFET3 650V TO220 PKG

数据表:

FCP190N65S3R0 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	17 A
Rds On-漏源导通电阻:	190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	33 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	144 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	6 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	16 ns
系列:	SuperFET3
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel SuperFET III MOSFET
典型关闭延迟时间:	42 ns
典型接通延迟时间:	17 ns
单位重量:	2 g

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SuperFET® III MOSFET

安森美(onsemi) SuperFET® III MOSFET是高压超结 (SJ) N沟道MOSFET，旨在满足电信、服务器、电动汽车 (EV) 充电器和太阳能产品的高功率密度、系统效率和超高可靠性要求。此系列器件拥有出色的可靠性、低电磁干扰、超高的效率和卓越的热性能，是高性能应用的理想选择。除高性能外，SuperFET III MOSFET还通过丰富的封装选项为产品设计师提供高度的灵活性，特别是在尺寸受限的设计中。