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FDB120N10

Name: onsemi FDB120N10
Brand: onsemi
SKU: 512-FDB120N10
Price: 23.5 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FDB120N10

制造商编号：

FDB120N10

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

FDB120N10 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SC-70-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	74 A
Rds On-漏源导通电阻:	9.7 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	86 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	170 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	15 ns
正向跨导 - 最小值:	105 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	105 ns
系列:	FDB120N10
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	39 ns
典型接通延迟时间:	27 ns
单位重量:	4 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

FDB120N10 数据表 (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2025-7-1 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

ONSEMI

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一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。

了解更多的信息

库存量: 2,304

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该产品已停产，库存售罄后将不再提供。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按800的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥26.555	¥26.56
	¥17.289	¥172.89
	¥13.6504	¥1,365.04
	¥11.4921	¥5,746.05
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
	¥10.5881	¥8,470.48
	¥10.0118	¥24,028.32

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

FDB120N10

制造商： onsemi

说明： MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench

规格

文件 (15)

数据表

EOL

PCN

环境文件

产品与贸易合规

客户还购买了

特色产品 ONSEMI

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说明：

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ONSEMI