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FDB20N50F

Name: onsemi FDB20N50F
Brand: onsemi
SKU: 512-FDB20N50F
Price: 41.5 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FDB20N50F

制造商编号：

FDB20N50F

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 500V, 20A, 260mOhms N-Channel SuperFET MOSFET

数据表:

FDB20N50F 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	500 V
Id-连续漏极电流:	20 A
Rds On-漏源导通电阻:	260 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5 V
Qg-栅极电荷:	50 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	250 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	UniFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	60 ns
正向跨导 - 最小值:	25 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	120 ns
系列:	FDB20N50F
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	100 ns
典型接通延迟时间:	45 ns
单位重量:	4 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

FDB20N50F 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 捷克共和国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

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一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。

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库存量: 4,181

库存：: 4,181 可立即发货

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生产周期：: 12 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按800的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥46.895	¥46.90
	¥30.7699	¥307.70
	¥22.9164	¥2,291.64
	¥19.1874	¥9,593.70
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
	¥17.8653	¥14,292.24
	¥16.7918	¥40,300.32

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

FDB20N50F

制造商： onsemi

说明： MOSFET 500V, 20A, 260mOhms N-Channel SuperFET MOSFET

规格

文件 (13)

数据表

PCN

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产品与贸易合规

客户还购买了

特色产品 ONSEMI

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说明：

MOSFET 500V, 20A, 260mOhms N-Channel SuperFET MOSFET

特色产品

ONSEMI