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RoHS

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FDB8870

onsemi

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FDB8870

制造商编号：

FDB8870

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

FDB8870 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SC-70-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	160 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.2 V
Qg-栅极电荷:	132 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	160 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	47 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	98 ns
系列:	FDB8870
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	75 ns
典型接通延迟时间:	10 ns
零件号别名:	FDB8870_NL
单位重量:	4 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

FDB8870 数据表 (PDF)

EOL

Product Discontinuance Notification (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

ONSEMI

NVMTS1D1N08X N通道功率 MOSFET

80V汽车级MOSFET，具有低导通电阻和软恢复本体二极管。

了解更多的信息

80V单N沟道功率MOSFET

具有低R_DS(on)，可最大限度降低导通损耗，同时具备低QG和低电容，可最大限度减少驱动器损耗。

了解更多的信息

NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET

具有低RDS_(on)和低栅极阈值，且集成ESD保护。

了解更多的信息

NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET

针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。

了解更多的信息

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。

了解更多的信息

库存量: 38

库存：: 38 可立即发货

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该产品已停产，库存售罄后将不再提供。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥26.8827	¥26.88
	¥17.4585	¥174.59
	¥12.0797	¥1,207.97
	¥10.0909	¥5,045.45
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
	¥9.266	¥7,412.80
	¥8.6897	¥20,855.28