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FDD3510H

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Mouser编号：

512-FDD3510H

制造商编号：

FDD3510H

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench

寿命周期:

停产

数据表:

FDD3510H 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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交货限制:

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-252-5
晶体管极性:	N-Channel, P-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	4.3 A
Rds On-漏源导通电阻:	80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V, 3 V
Qg-栅极电荷:	18 nC, 20 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	3.1 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Dual
下降时间:	2 ns, 5 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	2 ns, 3 ns
系列:	FDD3510H
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	16 ns, 25 ns
典型接通延迟时间:	7 ns, 6 ns
单位重量:	4 g

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筛选文档:

数据表

FDD3510H 数据表 (PDF)

EOL

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

ONSEMI

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