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RoHS

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FDG1024NZ

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FDG1024NZ

制造商编号：

FDG1024NZ

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET Dual PT4 N 20/8V

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

FDG1024NZ 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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交货限制:

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT-323-6
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	1.2 A
Rds On-漏源导通电阻:	321 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	400 mV
Qg-栅极电荷:	2.6 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	360 mW
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Dual
正向跨导 - 最小值:	4 S
产品类型:	MOSFETs
系列:	FDG1024NZ
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	11 ns
典型接通延迟时间:	3.7 ns
单位重量:	28 mg

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

FDG1024NZ 数据表 (PDF)

EOL

Product Discontinuance Notification 2024-10-17 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

ONSEMI

NVMTS1D1N08X N通道功率 MOSFET

80V汽车级MOSFET，具有低导通电阻和软恢复本体二极管。

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80V单N沟道功率MOSFET

具有低R_DS(on)，可最大限度降低导通损耗，同时具备低QG和低电容，可最大限度减少驱动器损耗。

了解更多的信息

NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET

具有低RDS_(on)和低栅极阈值，且集成ESD保护。

了解更多的信息

NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET

针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。

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NTMFD0D9N02P1E MOSFET

一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。

了解更多的信息

供货情况

库存：: 出现意外错误。请稍候重试。

可能的更换

onsemi NTJD4401NT1G

制造商：

onsemi

制造商编号：

NTJD4401NT1G

说明：

MOSFET 20V Dual N-Channel ESD Protection

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