FDMD8900

Name: onsemi FDMD8900
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMD8900
Price: 21.89 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FDMD8900

制造商编号：

FDMD8900

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PT8 30/12V Dual Nch Power Trench MOSFET

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

FDMD8900 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PQFN-12
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	42 A, 66 A
Rds On-漏源导通电阻:	4 mOhms, 5.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	25 nC, 19 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	15 W, 27 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench Power Clip
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Dual
下降时间:	2.4 ns, 2.3 ns
正向跨导 - 最小值:	86 S, 80 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	2.3 ns, 2 ns
系列:	FDMD8900
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	25 ns, 22 ns
典型接通延迟时间:	8.7 ns, 7.1 ns
单位重量:	82.320 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

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EOL

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 198

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最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥24.7357	¥24.74
	¥15.9669	¥159.67
	¥11.0062	¥1,100.62
	¥8.9383	¥4,469.15
	¥8.5993	¥8,599.30
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥7.7179	¥23,153.70

FDMD8900

制造商： onsemi

说明： MOSFET PT8 30/12V Dual Nch Power Trench MOSFET

规格

文件 (5)

数据表

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PCN

环境文件

产品与贸易合规

特色产品 ONSEMI

库存量: 198

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onsemi

说明：

MOSFET PT8 30/12V Dual Nch Power Trench MOSFET

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