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FDME1023PZT

Name: onsemi FDME1023PZT
Brand: onsemi
SKU: 512-FDME1023PZT
Price: 13.03 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FDME1023PZT

制造商编号：

FDME1023PZT

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 20V Dual P-Channel PowerTrench

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

FDME1023PZT 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	UMLP-6
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	2.3 A
Rds On-漏源导通电阻:	95 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	600 mV
Qg-栅极电荷:	5.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.3 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Dual
下降时间:	16 ns
正向跨导 - 最小值:	7 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4.8 ns
系列:	FDME1023PZT
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 P-Channel
典型关闭延迟时间:	33 ns
典型接通延迟时间:	4.7 ns
单位重量:	25.200 mg

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

FDME1023PZT 数据表 (PDF)

EOL

Product Discontinuance Notification 2024-07-05 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

FDME10xx PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDME10xx PowerTrench® MOSFETs are designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handsets and other ultra-portable applications. The FDME1023PZT features two independent P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1024NZT is a dual N-Channel device with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1034CZT is a complementary PowerTrench device with an independent N-Channel and P-Channel MOSFET with low on-state resistance. The FDME1034CZT is minimized to allow high frequency switching directly from the controlling device.

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库存量: 49,538

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输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按5000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥14.7239	¥14.72
	¥9.0965	¥90.97
	¥5.9777	¥597.77
	¥4.7008	¥2,350.40
	¥4.0228	¥4,022.80
	¥3.3222	¥8,305.50
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
	¥3.0623	¥15,311.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

FDME1023PZT

制造商： onsemi

说明： MOSFET 20V Dual P-Channel PowerTrench

规格

文件 (6)

数据表

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PCN

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产品与贸易合规

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FDME10xx PowerTrench® MOSFETs

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