FDME910PZT

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Mouser编号：

512-FDME910PZT

制造商编号：

FDME910PZT

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET P-CHAN -20V -8A 2.1W

寿命周期:

停产

数据表:

FDME910PZT 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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交货限制:

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	UMLP-6
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	8 A
Rds On-漏源导通电阻:	24 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.5 V
Qg-栅极电荷:	21 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2.1 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
系列:	FDME910PZT
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
单位重量:	25.200 mg

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数据表

FDME910PZT 数据表 (PDF)

EOL

Product Discontinuance Notification (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

FDMx910 P-Channel PowerTrench® MOSFETs

ON Semiconductor FDMx910 P-Channel PowerTrench® MOSFETs feature the MicroFET™ MOSFET package and provide exceptional thermal performance for their physical size (2mm x 2mm & 1.6mm x 1.6mm), making them well suited for switching and linear mode applications. Available with a 20V rating, the devices offer low on-state resistance. To prevent electrostatic discharge (ESD) failures, the FDMA910PZ and FDME910PZT are equipped with optimized Zener diode protection, which also reduces IGSS leakage maximum rating from 10µA to 1µA. Both devices provide safe operation at low-voltage and are suitable for use in handsets and portable devices.
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