FDN86501LZ

Name: onsemi FDN86501LZ
Brand: onsemi
SKU: 512-FDN86501LZ
Price: 23.42 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

512-FDN86501LZ

制造商编号：

FDN86501LZ

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET60 V, 2.6 A, 116 mO

数据表:

FDN86501LZ 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SSOT-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	2.6 A
Rds On-漏源导通电阻:	198 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
Qg-栅极电荷:	3.8 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.5 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	1.2 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	1.2 ns
系列:	FDN86501LZ
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-channel
典型关闭延迟时间:	9.6 ns
典型接通延迟时间:	4.4 ns
单位重量:	30 mg

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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生产周期：: 35 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

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输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 3000

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥26.4646	¥26.46
	¥17.1195	¥171.20
	¥11.8311	¥1,183.11
	¥9.8423	¥4,921.15
	¥9.1869	¥9,186.90
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥8.5993	¥25,797.90

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

FDN86501LZ

制造商： onsemi

说明： MOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET60 V, 2.6 A, 116 mO

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