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RoHS

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FDP036N10A

onsemi

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FDP036N10A

制造商编号：

FDP036N10A

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET

数据表:

FDP036N10A 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	176 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	89 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	227 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Tube
商标:	onsemi
配置:	Single
正向跨导 - 最小值:	167 S
产品类型:	MOSFETs
系列:	FDP036N10A
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

FDP036N10A 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

ONSEMI

NVMTS1D1N08X N通道功率 MOSFET

80V汽车级MOSFET，具有低导通电阻和软恢复本体二极管。

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80V单N沟道功率MOSFET

具有低R_DS(on)，可最大限度降低导通损耗，同时具备低QG和低电容，可最大限度减少驱动器损耗。

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NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET

具有低RDS_(on)和低栅极阈值，且集成ESD保护。

了解更多的信息

NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET

针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。

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NTMFD0D9N02P1E MOSFET

一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。

了解更多的信息

库存量: 3,573

库存：: 3,573 可立即发货

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生产周期：: 52 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥60.5454	¥60.55
	¥40.5331	¥405.33
	¥32.5101	¥3,251.01
	¥28.8715	¥14,435.75
	¥25.8883	¥25,888.30