FDP038AN06A0

Name: onsemi FDP038AN06A0
Brand: onsemi
SKU: 512-FDP038AN06A0
Price: 44.89 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

512-FDP038AN06A0

制造商编号：

FDP038AN06A0

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V

数据表:

FDP038AN06A0 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	80 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	124 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	310 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Tube
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	60 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	144 ns
系列:	FDP038AN06A0
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	34 ns
典型接通延迟时间:	17 ns
零件号别名:	FDP038AN06A0_NL
单位重量:	2 g

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 美国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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