FDP2D9N12C

863-FDP2D9N12C
FDP2D9N12C

制造商：

说明：
MOSFET PTNG 120V N-FET

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
数据表:
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onsemi
产品种类: MOSFET
交货限制:
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RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
120 V
210 A
2.95 mOhms
20 V
4 V
98 nC
- 55 C
+ 150 C
179 W
Enhancement
Tube
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 24 ns
正向跨导 - 最小值: 215
产品类型: MOSFETs
上升时间: 31 ns
系列: FDP2D9N12C
工厂包装数量: 800
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 72 ns
典型接通延迟时间: 43 ns
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

供货情况

库存：

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