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FDS8858CZ

Name: onsemi FDS8858CZ
Brand: onsemi
SKU: 512-FDS8858CZ
Price: 12.3 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FDS8858CZ

制造商编号：

FDS8858CZ

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET

数据表:

FDS8858CZ 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-8
晶体管极性:	N-Channel, P-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V, 60 V
Id-连续漏极电流:	8.6 A
Rds On-漏源导通电阻:	17 mOhms, 20.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	17 nC, 33 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.6 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Dual
下降时间:	3 ns, 16 ns
正向跨导 - 最小值:	27 S / 21 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	3 ns, 10 ns
系列:	FDS8858CZ
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	19 ns, 33 ns
典型接通延迟时间:	7 ns, 9 ns
单位重量:	187 mg

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已选择的属性: 0

筛选文档:

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 美国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

PowerTrench® MOSFET

仙童提供业界最齐全的 PowerTrench® MOSFET 产品组合。您可以从多种技术中选择适合您应用的 MOSFET。仙童提供 N 沟道和 P 沟道版本的 MOSFET，利用其先进的 Power Trench® 工艺，该工艺经优化实现了低 R_DS(ON) 开关性能和坚固性。这些 PowerTrench® MOSFET 可满足几乎任何应用的需要，如负载开关、一次开关、移动计算、直流-直流转换器、同步整流器等等。
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供货情况

库存：: 0

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在途量:: 22,495

预期 2027/4/30

25,000

预期 2027/6/18
生产周期：: 41

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 2500

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥13.899	¥13.90
	¥7.8196	¥78.20
	¥6.8365	¥683.65
	¥4.9833	¥2,491.65
	¥4.5991	¥4,599.10
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥3.7064	¥9,266.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

FDS8858CZ

制造商： onsemi

说明： MOSFET 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET

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