FGB7N60UNDF

Name: onsemi FGB7N60UNDF
Brand: onsemi
SKU: 512-FGB7N60UNDF
Price: 18.15 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FGB7N60UNDF

制造商编号：

FGB7N60UNDF

制造商：

onsemi

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 7A NPT IGBT

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

FGB7N60UNDF 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
封装 / 箱体:	SC-70-3
安装风格:	SMD/SMT
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	600 V
集电极—射极饱和电压:	1.9 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	14 A
Pd-功率耗散:	83 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
系列:	FGB7N60UNDF
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
栅极—射极漏泄电流:	10 uA
产品类型:	IGBTs
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
单位重量:	1.312 g

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已选择的属性: 0

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数据表

FGB7N60UNDF 数据表 (PDF)

EOL

Product Discontinuance Notification (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

ONSEMI

AFGB30T65RQDN IGBT

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AFGH4L60T120RWx-STD N沟道场截止VII IGBT

该器件性能优异，具备低通态电压与低开关损耗。

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AFGBG70T65SQDC N沟道场截止IV IGBT

该器件性能优异，具有低导通损耗和低开关损耗。

了解更多的信息

AFGHxL40T车规级IGBT

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了解更多的信息

FGB5065G2-F085 EcoSD® 2 HV-HE IGBT

650V N沟道点火器件，用于PTC加热器和大电流系统应用。

了解更多的信息

库存量: 710

库存：: 710 可立即发货

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输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥20.5095	¥20.51
	¥15.7974	¥157.97
	¥12.0797	¥1,207.97
	¥9.6728	¥4,836.40
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
	¥9.5937	¥7,674.96
	¥9.5146	¥22,835.04
	¥8.9383	¥42,903.84

FGB7N60UNDF

制造商： onsemi

说明： 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 7A NPT IGBT

规格

文件 (6)

数据表

EOL

PCN

环境文件

产品与贸易合规

特色产品 ONSEMI

库存量: 710

定价 (含13% 增值税)

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制造商：

onsemi

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 7A NPT IGBT

特色产品

ONSEMI