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RoHS

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FQA140N10

onsemi

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FQA140N10

制造商编号：

FQA140N10

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 100V N-Channel QFET

数据表:

FQA140N10 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-3PN-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	140 A
Rds On-漏源导通电阻:	10 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	285 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	375 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	QFET
封装:	Tube
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	360 ns
正向跨导 - 最小值:	80 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	940 ns
系列:	FQA140N10
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	350 ns
典型接通延迟时间:	75 ns
零件号别名:	FQA140N10_NL
单位重量:	4.600 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

FQA140N10 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 日本

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

ONSEMI

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NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET

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NTMFD0D9N02P1E MOSFET

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库存量: 3,091

库存：: 3,091 可立即发货

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生产周期：: 13 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥80.6481	¥80.65
	¥55.0875	¥550.88
	¥45.4147	¥5,449.76
	¥40.4427	¥20,625.78
	¥37.8889	¥38,646.68