GAN063-650WSAQ

Name: Nexperia GAN063-650WSAQ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GAN063-650WSAQ
Price: 183.44 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

771-GAN063-650WSAQ

制造商编号：

GAN063-650WSAQ

制造商：

Nexperia

说明：

GaN 场效应晶体管 650 V, 50 mohm Galli um Nitride (GaN) FET

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

GAN063-650WSAQ 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Nexperia
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	34.5 A
Rds On-漏源导通电阻:	60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.4 V
Qg-栅极电荷:	15 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	143 W
通道模式:	Enhancement
技术:	GaN
商标:	Nexperia
配置:	Single
封装:	Tube
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
零件号别名:	934660022127
单位重量:	6 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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