GANB1R2-040QBAZ

Name: Nexperia GANB1R2-040QBAZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GANB1R2-040QBAZ
Price: 63.68 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

771-GANB1R2-040QBAZ

制造商编号：

GANB1R2-040QBAZ

制造商：

Nexperia

说明：

GaN 场效应晶体管 GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Nexperia
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VQFN-16
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	100 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	6 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.4 V
Qg-栅极电荷:	60 nC
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
Pd-功率耗散:	105 W
通道模式:	Enhancement
技术:	GaN
商标:	Nexperia
配置:	Single
最大漏极/栅极电压:	40 V
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	GaN FETs
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
零件号别名:	934667629336

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数据表

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT

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生产周期：: 16 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

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本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥71.9584	¥71.96
	¥39.1206	¥391.21
	¥35.9792	¥3,597.92
	¥35.482	¥17,741.00
	¥32.5101	¥32,510.10
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥28.9506	¥72,376.50

GANB1R2-040QBAZ

制造商： Nexperia

说明： GaN 场效应晶体管 GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16

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GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT

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