GANE1R8-100QBAZ

Nexperia
771-GANE1R8-100QBAZ
GANE1R8-100QBAZ

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7

寿命周期:
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产品属性 属性值 选择属性
Nexperia
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
VQFN-7
P-Channel
1 Channel
100 V
100 A
1.8 mOhms
6 V
2.5 V
22 nC
- 40 C
+ 150 C
65 W
Enhancement
GaN
商标: Nexperia
配置: Single
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: GaN FETs
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
零件号别名: 934667635332
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已选择的属性: 0

数据表

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET

Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET是通用的、常闭型电子模式设备，具有卓越的性能和极低的导通电阻。

库存量: 2,457

库存：
2,457 可立即发货
生产周期：
16 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于2457的订购须受最低订购要求的限制。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥87.9253 ¥87.93
¥48.8047 ¥488.05
¥46.2396 ¥4,623.96
¥42.3524 ¥42,352.40
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥37.7194 ¥94,298.50

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