GS66508T-MR

Infineon Technologies
499-GS66508T-MR
GS66508T-MR

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Infineon Technologies GS66508T-MR详情

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
GaNpx
N-Channel
1 Channel
650 V
30 A
63 mOhms
- 10 V, + 7 V
1.1 V
6.1 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
GaNPX
10 MHz
0 Hz
GaN-on-Si
商标: Infineon Technologies
配置: Single
开发套件: GS665MB--EVB, GS66508T-EVBDB2
下降时间: 5.2 ns
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品类型: GaN FETs
上升时间: 3.7 ns
系列: GS665xx
工厂包装数量: 250
子类别: Transistors
晶体管类型: E-Mode
典型关闭延迟时间: 8 ns
典型接通延迟时间: 4.1 ns
零件号别名: GS66508T-E02-MR
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

EOL

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国台湾
组装原产国/地区:
泰国
扩散国家:
中国台湾
发货时，国家/地区可能会发生变化。

GS665xx增强模式硅功率晶体管

Infineon Technologies GS665xx增强模式高电子迁移率晶体管（E-HEMT）具有大电流、高击穿电压和高开关频率等特性。这些功率晶体管采用具有大电流裸片和高良率的Island Technology单元布局，GaNPX® 小型封装可实现低电感和低热阻。这些功率晶体管具有非常低的结-外壳热阻，适用于大功率应用。GS665xx增强模式硅功率晶体管有底部或顶部冷却晶体管可供选择。这些功率晶体管具有超低FOM裸片、反向电流能力和零反向恢复损耗。

库存量: 7

库存：
7 可立即发货
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按250的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥196.281 ¥196.28
¥146.6514 ¥1,466.51
¥125.3961 ¥12,539.61
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
¥125.3961 ¥31,349.03
¥119.441 ¥59,720.50
1,000 报价
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

类似产品

Infineon Technologies IGLT65R055D2ATMA1
Infineon Technologies
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
新产品: 此制造商的新产品。
与当前部分进行比较

出现意外错误。


有问题需要帮助？请访问帮助中心。
如对特定订单有疑问，请登录您的账户。

如遇其他问题，请致电 800-346-6873 或发送邮件至 help@mouser.com 联系我们。