HGTP5N120BND

512-HGTP5N120BND
HGTP5N120BND

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
交货限制:
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RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.45 V
- 20 V, 20 V
21 A
167 W
- 55 C
+ 150 C
HGTP5N120BND
Tube
商标: onsemi
集电极最大连续电流 Ic: 21 A
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
高度: 9.4 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: IGBTs
工厂包装数量: 800
子类别: Transistors
宽度: 4.83 mm
零件号别名: HGTP5N120BND_NL
单位重量: 1.800 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
韩国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

供货情况

库存：

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