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IGLD60R190D1 GaN 场效应晶体管

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	Vds-漏源极击穿电压	Vgs - 栅极-源极电压	技术
	GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES Infineon Technologies IGLD60R190D1 IGLD60R190D1 Infineon Technologies 停产	制造商零件编号 IGLD60R190D1 Mouser 零件编号未分配停产	Infineon Technologies	GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES	数据表	不可用		无库存，请致电询价			10 V, 10 V	- 10 V, + 10 V	GaN
	GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES IGLD60R190D1AUMA3 Infineon Technologies 1: ¥66.2519 2,337库存量受限供货情况	制造商零件编号 IGLD60R190D1AUMA3 Mouser 零件编号 726-IGLD60R190D1AUM3 受限供货情况	Infineon Technologies	GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES	数据表	2,337库存量	剪切带 ¥66.2519 ¥44.3412 ¥35.6515 ¥31.6852 ¥25.5606 ¥25.3911	最低： 1 倍数： 1			600 V	- 10 V, + 10 V	GaN

IGLD60R190D1 GaN 场效应晶体管

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