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IGLD60R190D1AUMA3

Name: Infineon IGLD60R190D1AUMA3
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGLD60R190D1AUM3
Price: 58.63 RMB
Availability: LimitedAvailability

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IGLD60R190D1AUM3

制造商编号：

IGLD60R190D1AUMA3

制造商：

Infineon Technologies

说明：

GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

寿命周期:

受限供货情况:

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数据表:

IGLD60R190D1AUMA3 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	GaN 场效应晶体管
REACH - SVHC:
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 10 V
技术:	GaN
商标:	Infineon Technologies
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
零件号别名:	IGLD60R190D1 SP005557217

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已选择的属性: 0

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥66.2519	¥66.25
	¥44.3412	¥443.41
	¥35.6515	¥3,565.15
	¥31.6852	¥15,842.60
	¥25.5606	¥25,560.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥25.3911	¥76,173.30

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