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IGLR60R260D1 GaN 场效应晶体管

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	安装风格	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	技术
	GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies 1: ¥23.7413 4,815库存量新产品	制造商零件编号 IGLR65R200D2XUMA1 Mouser 零件编号 726-IGLR65R200D2XUMA 新产品	Infineon Technologies	GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors 的信息	数据表	4,815库存量	剪切带 ¥23.7413 ¥15.3906 ¥10.5881 ¥8.5202 卷轴 ¥6.6557 查看 ¥7.9552 ¥7.8083 ¥6.4975	最低： 1 倍数： 1 : 5,000			SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	9.2 A	240 mOhms	- 10 V	1.6 V	1.8 nC	- 55 C	+ 150 C	33 W	Enhancement	GaN
	GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES IGLD60R190D1AUMA3 Infineon Technologies 1: ¥66.2519 2,337库存量受限供货情况	制造商零件编号 IGLD60R190D1AUMA3 Mouser 零件编号 726-IGLD60R190D1AUM3 受限供货情况	Infineon Technologies	GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES	数据表	2,337库存量	剪切带 ¥66.2519 ¥44.3412 ¥35.6515 ¥31.6852 ¥25.5606 ¥25.3911	最低： 1 倍数： 1						600 V			- 10 V, + 10 V							GaN

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