IGLT65R055B2-PDS GaN 场效应晶体管

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 技术
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES 1,586库存量
1,800预期 2026/12/17
剪切带
¥91.0667
¥52.1156
¥49.4601
¥46.6464
¥40.3636
卷轴
¥40.0359
最低: 1
倍数: 1
: 1,800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Bi -directional switch, enhancement -mode 1,575库存量
剪切带
¥98.2648
¥55.0875
¥53.4377
¥43.6745
卷轴
最低: 1
倍数: 1
: 1,800
CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
5,400在途量
剪切带
¥60.9635
¥33.5045
¥30.5213
¥28.4534
¥26.216
卷轴
¥22.3288
最低: 1
倍数: 1
: 1,800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement GaN