IPAN60R125PFD7S MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
数据表
N/A
Si Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
数据表
39库存量
1,000预期 2026/12/31
¥32.3406
¥18.6902
¥14.7239
¥11.9893
¥11.9102
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 235 mOhms 20 V 4 V 36 nC - 40 C + 150 C 32 W Enhancement Tube