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Infineon Technologies
600V CoolMOS™ PFD7 SJ功率MOSFET - Infineon Technologies
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Infineon Technologies 600V CoolMOS™ PFD7 SJ功率MOSFET
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英飞凌600V CoolMOS™ PFD7 SJ功率MOSFET是高压功率MOSFET的革命性技术,按照超级结(SJ)原理进行设计,由英飞凌首创。CoolMOS™ PFD7是一个经过优化的平台,专为消费市场中的目标成本敏感型应用量身定制,例如充电器、适配器、电机驱动器、照明等。该系列具有快速开关超级结MOSFET的所有优势,并具有出色的性价比和最先进的易用性。该技术符合最高效率标准,支持高功率密度,使客户能够实现超薄设计。
特性
极低的FOM R
DS(on)
、Q
g
和R
DS(on)
、E
oss
,损耗极低
低开关损耗E
oss
,出色的散热性能
快速体二极管
各种R
DS(on)
和封装型号
可实现大功率密度设计和小外形尺寸
在更高的开关频率下实现效率提升
出色的换向耐受性
轻松选择正确的零件以及优化设计
应用
建议用于高密度充电器、适配器、照明、电机驱动应用等的ZVS拓扑结构。
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发布日期: 2020-01-21 | 更新日期: 2024-11-19