IPLK60R1K0PFD7 MOSFET

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
N/A
Si Reel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
无库存交货期 17 周
剪切带
¥15.9669
¥10.0118
¥6.5766
¥5.2206
卷轴
¥4.068
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最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 5.2 A 1 Ohms 20 V 4 V 6 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel, Cut Tape