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RoHS

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IRF1010EZ MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	封装
	MOSFET MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC IRF1010EPBF Infineon Technologies 1: ¥16.2155 1,503库存量 NRND	制造商零件编号 IRF1010EPBF Mouser 零件编号 942-IRF1010EPBF NRND	Infineon Technologies	MOSFET MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC	数据表	1,503库存量	¥16.2155 ¥7.7631 ¥6.7235 ¥5.3788 查看 ¥5.198 ¥4.859 ¥4.7686 ¥4.5426	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	84 A	12 mOhms	20 V	3 V	130 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement	Tube
	MOSFET TO220 200V 3.3A N-CH MOSFET IRF610PBF Vishay Semiconductors 1: ¥9.9214 4,883预期 2026/12/7	制造商零件编号 IRF610PBF Mouser 零件编号 844-IRF610PBF	Vishay Semiconductors	MOSFET TO220 200V 3.3A N-CH MOSFET	数据表	4,883预期 2026/12/7	¥9.9214 ¥8.1473 ¥5.3562 ¥4.2149 ¥3.3222	最低： 1 倍数： 1 最大： 1,000			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	3.3 A	1.5 Ohms	20 V	4 V	8.2 nC	- 55 C	+ 150 C	36 W	Enhancement	Tube
	MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC IRF1010ZPBF Infineon Technologies 1: ¥24.6453 603库存量寿命结束	制造商零件编号 IRF1010ZPBF Mouser 零件编号 942-IRF1010ZPBF 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC	数据表	603库存量	¥24.6453 ¥15.8765 ¥10.9158 ¥9.266 查看 ¥7.8535 ¥7.7179	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	55 V	94 A	7.5 mOhms	20 V	2 V	63 nC	- 55 C	+ 175 C	140 W	Enhancement	Tube
	MOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC IRF1010NSTRLPBF Infineon Technologies 1: ¥20.9276 447库存量寿命结束	制造商零件编号 IRF1010NSTRLPBF Mouser 零件编号 942-IRF1010NSTRLPBF 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC	数据表	447库存量	剪切带 ¥20.9276 ¥13.4809 ¥9.266 ¥7.3902 ¥7.3902 查看 ¥7.2207 ¥6.9495 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1			Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	55 V	85 A	11 mOhms	20 V	4 V	120 nC	- 55 C	+ 175 C	180 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel