IRF1010Z MOSFET

结果: 8
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC 22,429库存量
¥8.9383
¥6.0003
¥4.8025
¥3.955
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 55 V 17 A 100 mOhms 20 V 4 V 23.3 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 N-CH 60V 10A 644库存量
¥19.2778
¥10.8367
¥8.2377
¥6.6783
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms 20 V 2 V 11 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRF9
1,777库存量
¥18.9388
¥9.3451
¥8.3507
¥6.6444
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 60 V 6.7 A 500 mOhms 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC 1,503库存量
¥16.2155
¥7.7631
¥6.7235
¥5.3788
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 84 A 12 mOhms 20 V 3 V 130 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 200V 3.3A N-CH MOSFET
4,883预期 2026/12/7
¥9.9214
¥8.1473
¥5.3562
¥4.2149
¥3.3222
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 3.3 A 1.5 Ohms 20 V 4 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRF9 无库存
¥37.0527
¥24.3176
¥18.1139
¥15.7974
最低: 1
倍数: 1
否
Si Through Hole TO-220-3 Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC 603库存量
¥24.6453
¥15.8765
¥10.9158
¥9.266
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 94 A 7.5 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC 447库存量
剪切带
¥20.9276
¥13.4809
¥9.266
¥7.3902
¥7.3902
最低: 1
倍数: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 55 V 85 A 11 mOhms 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel