中国
MHE1003N
未分配
MHE1003N
制造商：
说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 2450 MHz, 220 W CW, 26 V
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 2450 MHz, 220 W CW, 26 V
数据表:
