MHT1108N

NXP Semiconductors
未分配
MHT1108N

制造商：

说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 2450 MHz, 12.5 W CW, 28 V

数据表:

产品属性 属性值 选择属性
NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
N-Channel
Si
143 mA
- 500 mV, 65 V
2.45 GHz
18.1 dB
12.5 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
DFN-16
LDMOS FET
商标: NXP Semiconductors
Pd-功率耗散: 32.9 W
产品类型: RF MOSFETs
系列: MHT1108N
子类别: RF Transistors
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV
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已选择的属性: 0

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合规代码
ECCN:
EAR99

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